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K4H560838E-TLB0T

更新时间： 2024-09-13 13:09:03

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K4H560838E-TLB0T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.32
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

128Mb DDR SDRAM

DDR SDRAM Specification

Version 1.0

- 1 -

REV. 1.0 November. 2. 2000

12 3 4 5 6 7...53

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560838E-TLB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
K4H560838E-TLB3T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H560838E-TLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4H560838E-TLCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66
K4H560838E-UC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-UC/LAA	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-UC/LB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-UC/LB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-UCA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-UCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,