是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | TSOP2, TSSOP66,.46 |
Reach Compliance Code: | compliant | 风险等级: | 5.32 |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.75 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 133 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 | 长度: | 22.22 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 66 | 字数: | 33554432 words |
字数代码: | 32000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 32MX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSSOP66,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.003 A | 子类别: | DRAMs |
最大压摆率: | 0.28 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4H560838E-ULB0 | SAMSUNG |
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) | |
K4H560838E-ULB00 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, | |
K4H560838E-ULB0T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
K4H560838E-ULB3 | SAMSUNG |
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) | |
K4H560838E-ULB30 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T | |
K4H560838E-ULB3T | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66 | |
K4H560838E-ULCC0 | SAMSUNG |
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DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, | |
K4H560838E-VC/LA2 | SAMSUNG |
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) | |
K4H560838E-VC/LB0 | SAMSUNG |
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) | |
K4H560838E-VC/LB3 | SAMSUNG |
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant) |