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K4H560838E-ULAA

更新时间: 2024-10-31 22:31:07
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三星 - SAMSUNG 电子动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
23页 297K
描述
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

K4H560838E-ULAA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.32
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):133 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:33554432 words
字数代码:32000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.28 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4H560838E-ULAA 数据手册

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DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free  
DDR SDRAM  
256Mb E-die DDR SDRAM Specification  
66 TSOP-II with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
Revision 1.1  
October, 2004  
Rev. 1.1 October, 2004  

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