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K4H560838E-VCB0

更新时间： 2024-11-04 22:31:07

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
页数	文件大小	规格书
23页	298K
描述
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

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K4H560838E-VCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP54,.36,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
JESD-609代码：	e3	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	端子数量：	54
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	32MX8	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP54,.36,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.25 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

54 sTSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

(300mill x 551mil)

Revision 1.1

October, 2004

Rev. 1.1 October, 2004

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560838E-VCB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560838E-VCB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, S
K4H560838E-VLA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560838E-VLB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VLB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560838E-VLB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VLB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, S
K4H560838E-ZC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant)