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K4H560838E-VCB00

更新时间： 2024-11-05 19:22:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	364K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, STSOP2-54

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K4H560838E-VCB00 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP,	针数：	54
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.24	风险等级：	5.67
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.75 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G54
长度：	14 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	2	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	54
字数：	33554432 words	字数代码：	32000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
宽度：	7.6 mm	Base Number Matches：	1

K4H560838E-VCB00 数据手册

DDR SDRAM 256Mb E-die (x8)

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

54 sTSOP-II(300mil x 551mil)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY. ALL

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 July. 2005

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560838E-VCB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, S
K4H560838E-VLA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560838E-VLB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VLB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560838E-VLB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-VLB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, S
K4H560838E-ZC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-ZC/LB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant)

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