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K4H560838E-UCB3T

更新时间： 2024-11-01 13:01:23

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K4H560838E-UCB3T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.43
最长访问时间：	0.7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e3
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	1
端子数量：	66	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.28 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

Revision 1.1

October, 2004

Rev. 1.1 October, 2004

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560838E-UCCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66
K4H560838E-UCCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.65ns, CMOS, PDSO66
K4H560838E-ULA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-ULA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560838E-ULA2T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H560838E-ULAA	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-ULB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560838E-ULB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560838E-ULB0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H560838E-ULB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)