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K4H560838E-ULA2T

更新时间: 2024-11-05 13:09:03
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三星 - SAMSUNG 电子动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
23页 297K
描述
DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66

K4H560838E-ULA2T 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.32
Is Samacsys:N最长访问时间:0.75 ns
最大时钟频率 (fCLK):133 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PDSO-G66
JESD-609代码:e3内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:1端子数量:66
字数:33554432 words字数代码:32000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):225
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.25 mA标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.635 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

K4H560838E-ULA2T 数据手册

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DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free  
DDR SDRAM  
256Mb E-die DDR SDRAM Specification  
66 TSOP-II with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
Revision 1.1  
October, 2004  
Rev. 1.1 October, 2004  

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