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K4H560438D-TLA0

更新时间: 2024-01-15 16:31:50
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
53页 669K
描述
128Mb DDR SDRAM

K4H560438D-TLA0 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.8 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4H560438D-TLA0 数据手册

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128Mb DDR SDRAM  
List of tables  
Table 1 : Operating frequency and DLL jitter  
Table 2. : Column address configurtion  
Table 3 : Input/Output function description  
Table 4 : Burst address ordering for burst length  
Table 5 : Bank selection for precharge by bank address bits  
Table 6 : Operating description when new command asserted while  
read with auto precharge is issued  
10  
11  
12  
17  
19  
30  
Table 7 : Operating description when new command asserted while  
write with auto precharge is issued  
31  
Table 8 : Command truth table  
Table 9-1 : Functional truth table  
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40  
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45  
47  
Table9-2:Functionaltruthtable(contiued)  
Table 9-3 : Functional truth table (contiued)  
Table 9-4 : Functional truth table (contiued)  
Table 9-5 : Functional truth table (cotinued)  
Table 10 : Absolute maximum raings  
Table 11 : DC operating condtion  
Table 12 : DC specification  
Table 13 : AC operating condition  
Table 14 : AC timing parameters and specifications  
Table 15 : AC operating test conditions  
Table 16 : Input/Output capacitance  
Table 17 : Pull down and pull up current values  
- 6 -  
REV. 1.0 November. 2. 2000  

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
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K4H560438D-TLA2 SAMSUNG 128Mb DDR SDRAM

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