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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TBGA, |
| 针数： | 60 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.92 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.65 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | 长度： | 14 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX4 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H560438E-GCCC | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR 400 SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
|
| K4H560438E-GCCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4H560438E-GLA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
|
| K4H560438E-GLA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
|
| K4H560438E-GLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
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| K4H560438E-GLB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
|
| K4H560438E-GLB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
|
| K4H560438E-GLB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4H560438E-GLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
|
| K4H560438E-GLCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60 |
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