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K4H560438E-NC

更新时间： 2024-02-04 04:58:22

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三星 - SAMSUNG		动态存储器双倍数据速率
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)

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K4H560438E-NC 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA60,9X12,40/32
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.65 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e3
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	1
端子数量：	60	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	BGA	封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.6 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.004 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.3 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H560438E-NC 数据手册

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8)

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

54pin sTSOP(II)

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Rev. 1.3 April, 2005

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