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K4H560438E-NCB3T

更新时间： 2024-02-05 10:35:45

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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24页	215K
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Cache DRAM Module, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO54

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K4H560438E-NCB3T 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP54,.36,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	0.7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G54	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	CACHE DRAM MODULE	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	端子数量：	54
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP54,.36,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H560438E-NCB3T 数据手册

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8)

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

54pin sTSOP(II)

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 April, 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560438E-NLA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560438E-NLA2T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H560438E-NLB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560438E-NLB00	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H560438E-NLB0T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO54
K4H560438E-NLB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560438E-NLB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, STSOP2-54
K4H560438E-NLB3T	SAMSUNG	获取价格	Cache DRAM Module, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO54
K4H560438E-TC	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II
K4H560438E-TC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II

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