是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP54,.36,20 |
针数: | 54 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.92 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G54 |
长度: | 14 mm | 内存密度: | 268435456 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 4 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 54 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX4 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP54,.36,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
峰值回流温度(摄氏度): | 240 | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.003 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.26 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
宽度: | 7.6 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4H560438E-NLB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache DRAM Module, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO54 | |
K4H560438E-TC | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II | |
K4H560438E-TC/LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II | |
K4H560438E-TC/LAA | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II | |
K4H560438E-TC/LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II | |
K4H560438E-TC/LB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II | |
K4H560438E-TCA0 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM | |
K4H560438E-TCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mb DDR SDRAM | |
K4H560438E-TCA2T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66 | |
K4H560438E-TCAA | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II |