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K4H560438E-TLB3

更新时间： 2024-01-17 16:00:11

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管电子动态存储器双倍数据速率时钟
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256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II

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K4H560438E-TLB3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	0.7 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	1	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.26 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H560438E-TLB3 数据手册

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8)

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II

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Rev. 1.3 April. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H560438E-TLB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66
K4H560438E-UC	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-UC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-UC/LAA	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-UC/LB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-UC/LB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-UCA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-UCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560438E-UCA2T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66

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