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K4H560438E-UCAA0

更新时间: 2024-01-10 20:33:52
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 297K
描述
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-66

K4H560438E-UCAA0 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSSOP,
针数:66Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.28访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.75 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PDSO-G66长度:22.22 mm
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:2
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH峰值回流温度(摄氏度):260
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

K4H560438E-UCAA0 数据手册

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DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free  
DDR SDRAM  
256Mb E-die DDR SDRAM Specification  
66 TSOP-II with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
Revision 1.1  
October, 2004  
Rev. 1.1 October, 2004  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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