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K4H560438E-VLB00

更新时间: 2024-02-03 17:25:39
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三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 297K
描述
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-54

K4H560438E-VLB00 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2,
针数:54Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.84Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PDSO-G54
长度:14 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:2功能数量:1
端口数量:1端子数量:54
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX4
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:7.6 mmBase Number Matches:1

K4H560438E-VLB00 数据手册

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DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free  
DDR SDRAM  
256Mb E-die DDR SDRAM Specification  
54 sTSOP-II with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
(300mill x 551mil)  
Revision 1.1  
October, 2004  
Rev. 1.1 October, 2004  

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