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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TBGA, |
| 针数： | 60 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.24 |
| 风险等级： | 5.29 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.75 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| JESD-609代码： | e1 | 长度： | 14 mm |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 湿度敏感等级： | 2 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 8 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H560438E-ZCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4H560438E-ZCB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| K4H560438E-ZCB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
暂无描述 |
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| K4H560438E-ZCCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60 |
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| K4H560438E-ZLA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4H560438E-ZLA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| K4H560438E-ZLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4H560438E-ZLB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60 FBGA with Pb-Free (RoHS compliant) |
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| K4H560438E-ZLB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 |
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| K4H560438E-ZLB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60 |
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