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K4H560438E-ZLB30

更新时间： 2024-11-11 15:43:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	392K
描述
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60

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K4H560438E-ZLB30 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数：	60	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.24
风险等级：	5.84	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	JESD-609代码：	e1
长度：	14 mm	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TBGA	封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.26 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)	端子形式：	BALL
端子节距：	1 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	8 mm
Base Number Matches：	1

K4H560438E-ZLB30 数据手册

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8)

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA

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AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

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Rev. 1.3 July. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H560438E-ZLCC	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H560438E-ZLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60
K4H560438H	SAMSUNG	获取价格	256Mb H-die DDR SDRAM Specification
K4H560438H-UC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb H-die DDR SDRAM Specification
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