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K4H560438H-UCA2

更新时间： 2024-11-11 21:18:11

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	368K
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DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66

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K4H560438H-UCA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.75 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e3
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	1
端子数量：	66	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.3 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.25 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H560438H-UCA2 数据手册

K4H560438H

K4H560838H

K4H561638H

DDR SDRAM

256Mb H-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.2 January 2006

12 3 4 5 6 7...24

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K4H560438H-ULA2T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66
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