K4H560438E-ULA2

更新时间： 2024-02-13 05:46:28

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三星 - SAMSUNG		电子动态存储器双倍数据速率
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23页	297K
描述
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

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K4H560438E-ULA2 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	0.75 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	133 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP66,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.003 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.24 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

Revision 1.1

October, 2004

Rev. 1.1 October, 2004

12 3 4 5 6 7...23

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560438E-ULA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560438E-ULA2T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H560438E-ULAA	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-ULB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-ULB00	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560438E-ULB0T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO66
K4H560438E-ULB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-ULB3T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H560438E-VC	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)