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K4H560438E-ULB3

更新时间： 2024-02-26 19:26:23

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三星 - SAMSUNG		存储内存集成电路光电二极管电子动态存储器双倍数据速率时钟
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23页	297K
描述
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

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K4H560438E-ULB3 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	0.7 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
内存密度：	268435456 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	湿度敏感等级：	3
端子数量：	66	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.26 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

66 TSOP-II with Pb-Free

(RoHS compliant)

Revision 1.1

October, 2004

Rev. 1.1 October, 2004

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560438E-ULB3T	SAMSUNG	获取价格	暂无描述
K4H560438E-VC	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VC/LB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VC/LB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VCA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VCA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT,
K4H560438E-VCB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VCB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54 sTSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)
K4H560438E-VCB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO54, 0.300 X 0.551 INCH, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T