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K4H560438E-UC/LAA

更新时间: 2024-02-24 09:54:45
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三星 - SAMSUNG 电子动态存储器双倍数据速率
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23页 297K
描述
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 66 TSOP-II with Pb-Free (RoHS compliant)

K4H560438E-UC/LAA 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:BGA, BGA60,9X12,40/32
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.84
最长访问时间:0.65 ns最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60JESD-609代码:e3
内存密度:268435456 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:1
端子数量:60字数:67108864 words
字数代码:64000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:BGA封装等效代码:BGA60,9X12,40/32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY
峰值回流温度(摄氏度):225电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.004 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.3 mA
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:MATTE TIN端子形式:BALL
端子节距:0.8 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

K4H560438E-UC/LAA 数据手册

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DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8) Pb-Free  
DDR SDRAM  
256Mb E-die DDR SDRAM Specification  
66 TSOP-II with Pb-Free  
(RoHS compliant)  
Revision 1.1  
October, 2004  
Rev. 1.1 October, 2004  

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