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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BGA, BGA60,9X12,40/32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 0.7 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 166 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 2.5 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.003 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.26 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 0.8 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| K4H560438E-GLB30 | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| K4H560438E-GLB3T | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60 |
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| K4H560438E-GLCC0 | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
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| K4H560438E-GLCCT | SAMSUNG | DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60 |
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| K4H560438E-NC | SAMSUNG | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
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| K4H560438E-NC/LA2 | SAMSUNG | 256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
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