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K4H560438E-GCCCT

更新时间： 2024-02-22 08:21:52

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三星 - SAMSUNG		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数	文件大小	规格书
24页	392K
描述
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60

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K4H560438E-GCCCT 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	BGA, BGA60,9X12,40/32
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.92
最长访问时间：	0.65 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	200 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PBGA-B60	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	3	端子数量：	60
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	64MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	BGA
封装等效代码：	BGA60,9X12,40/32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	GRID ARRAY	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	2.6 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	8192	连续突发长度：	2,4,8
最大待机电流：	0.004 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.31 mA	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K4H560438E-GCCCT 数据手册

DDR SDRAM 256Mb E-die (x4, x8)

DDR SDRAM

256Mb E-die DDR SDRAM Specification

60 FBGA

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* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 1.3 July. 2005

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4H560438E-GLA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
K4H560438E-GLA20	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4H560438E-GLB0	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
K4H560438E-GLB3	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8)
K4H560438E-GLB30	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4H560438E-GLB3T	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60
K4H560438E-GLCC0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60
K4H560438E-GLCCT	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60
K4H560438E-NC	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)
K4H560438E-NC/LA2	SAMSUNG	获取价格	256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II)

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