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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BGA, BGA60,9X12,40/32 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.92 |
| Is Samacsys： | N | 最长访问时间： | 0.65 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz | I/O 类型： | COMMON |
| 交错的突发长度： | 2,4,8 | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 268435456 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 60 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX4 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | BGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | 240 |
| 电源： | 2.6 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.004 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.31 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4H560438E-GCCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4H560438E-GLA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
|
| K4H560438E-GLA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
|
| K4H560438E-GLB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
|
| K4H560438E-GLB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |
|
| K4H560438E-GLB30 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
|
| K4H560438E-GLB3T | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4H560438E-GLCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 |
|
| K4H560438E-GLCCT | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60 |
|
| K4H560438E-NC | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 54pin sTSOP(II) |
|
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