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K4H560438D-TLA0

更新时间: 2024-01-26 14:07:46
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三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
53页 669K
描述
128Mb DDR SDRAM

K4H560438D-TLA0 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.24
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.8 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):100 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.003 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.22 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.65 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

K4H560438D-TLA0 数据手册

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128Mb DDR SDRAM  
3.3.7 Write Interrupted by a Read & DM  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
3.3.8 Write Interrupted by a Precharge & DM  
3.3.9 Burst Stop  
3.3.10 DM masking  
3.3.11 Read With Auto Precharge  
3.3.12 Write With Auto Precharge  
3.3.13 Auto Refresh & Self Refresh  
3.3.14 Power Down  
34  
35  
40  
4. Command Truth Table  
5. Functional Truth Table  
6. Absolute Maximum Rating  
7. DC Operating Conditions & Specifications  
7.1 DC Operating Conditions  
7.2 DC Specifications  
40  
41  
42  
42  
43  
8. AC Operating Conditions & Timming Specification  
8.1 AC Operating Conditions  
8.2 AC Timming Parameters & Specification  
45  
45  
9. AC Operating Test Conditions  
10. Input/Output Capacitance  
11. IBIS: I/V Characteristics for Input and Output Buffers  
11.1 Normal strength driver  
46  
46  
48  
11.2 Half strength driver( will be included in the future)  
12. QFC function  
49  
49  
49  
50  
50  
51  
52  
QFC definition  
QFC timming on Read Operation  
QFC timming on Write operation with tDQSSmax  
QFC timming on Write operation with tDQSSmin  
QFC timming example for interrupted writes operation  
Timing Diagram  
- 5 -  
REV. 1.0 November. 2. 2000  

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