是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TBGA, |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.24 |
风险等级: | 5.43 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | 长度: | 14 mm |
内存密度: | 268435456 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 4 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 64MX4 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K4H560438D-ZCCC0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.65ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | |
K4H560438E-GC | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) | |
K4H560438E-GC/LA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) | |
K4H560438E-GC/LB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) | |
K4H560438E-GC/LB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) | |
K4H560438E-GCA2 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) | |
K4H560438E-GCA20 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | |
K4H560438E-GCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) | |
K4H560438E-GCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX4, 0.75ns, CMOS, PBGA60, FBGA-60 | |
K4H560438E-GCB3 | SAMSUNG |
获取价格 |
256Mb E-die DDR SDRAM Specification 60Ball FBGA (x4/x8) |