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K4C89183AF-GCFB

更新时间: 2024-09-15 22:47:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
55页 1469K
描述
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification

K4C89183AF-GCFB 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:BGA, BGA60,6X15,40针数:60
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.5 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):300 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4JESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e0内存密度:301989888 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:18
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:16777216 words
字数代码:16000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX18输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:BGA
封装等效代码:BGA60,6X15,40封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:1.8,2.5 V认证状态:Not Qualified
自我刷新:YES连续突发长度:2,4
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
Base Number Matches:1

K4C89183AF-GCFB 数据手册

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K4C89183AF  
288Mb x18 Network-DRAM2 Specification  
Version 0.7  
- 1 -  
REV. 0.7 Jan. 2005  

与K4C89183AF-GCFB相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K4C89183AF-GCFB0 SAMSUNG

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DDR DRAM, 16MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 1 X 1 MM PITCH, FBGA-60
K4C89183AF-GCG7 SAMSUNG

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暂无描述
K4C89183AF-GCG70 SAMSUNG

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DDR DRAM, 16MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60
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288Mb x18 Network-DRAM2 Specification
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DDR DRAM, 16MX18, 0.6ns, CMOS, PBGA60, 1 X 1 MM PITCH, FBGA-60
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DDR DRAM, 16MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60
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DDR DRAM, 16MX18, 0.5ns, CMOS, PBGA60, 1 MM PITCH, FBGA-60
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