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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | TBGA, | 针数： | 144 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.92 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.5 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B144 |
| JESD-609代码： | e0 | 长度： | 15.5 mm |
| 内存密度： | 301989888 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 36 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 144 |
| 字数： | 8388608 words | 字数代码： | 8000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 8MX36 | |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 宽度： | 10.5 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4C89363AF-GCG70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |
|
| K4C89363AF-GIF50 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX36, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 1 MM PITCH, FBGA-144 |
|
| K4C89363AF-GIF60 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |
|
| K4C89363AF-GIFB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |
|
| K4C89363AF-GIG70 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 8MX36, 0.5ns, CMOS, PBGA144, FBGA-144 |
|
| K4C89363AF-TCF5 | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
|
| K4C89363AF-TCF6 | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
|
| K4C89363AF-TCFB | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
|
| K4D261638 | SAMSUNG |
获取价格 |
128Mbit GDDR SDRAM |
|
| K4D261638E | SAMSUNG |
获取价格 |
2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM |
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