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K4D261638E-TC2A

更新时间： 2024-09-15 21:55:23

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三星 - SAMSUNG		动态存储器
页数	文件大小	规格书
16页	216K
描述
2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM

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K4D261638E-TC2A 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TSSOP, TSSOP66,.46	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.83	最长访问时间：	0.6 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	350 MHz	I/O 类型：	COMMON
交错的突发长度：	2,4,8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e0	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	16
端子数量：	66	字数：	8388608 words
字数代码：	8000000	最高工作温度：	65 °C
最低工作温度：		组织：	8MX16
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
电源：	2.8 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	4096	连续突发长度：	2,4,8
子类别：	DRAMs	标称供电电压 (Vsup)：	2.8 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

128M DDR SDRAM

K4D261638E

128Mbit DDR SDRAM

2M x 16Bit x 4 Banks

Double Data Rate Synchronous DRAM

Revision 1.2

July 2003

Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

- 1 -

Rev. 1.2 (Jul. 2003)

12 3 4 5 6 7...16

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K4D261638E-TC2A0	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D261638E-TC33	SAMSUNG	获取价格	2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM
K4D261638E-TC36	SAMSUNG	获取价格	2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM
K4D261638E-TC40	SAMSUNG	获取价格	2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM
K4D261638E-TC400	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D261638E-TC50	SAMSUNG	获取价格	2M x 16Bit x 4 Banks Double Data Rate Synchronous DRAM
K4D261638E-TC500	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66
K4D261638F	SAMSUNG	获取价格	128Mbit GDDR SDRAM
K4D261638F-LC2A	SAMSUNG	获取价格	DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66
K4D261638F-LC2A0	SAMSUNG	获取价格	Synchronous Graphics RAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, L