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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | BGA |
| 包装说明： | BGA, | 针数： | 60 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.32.00.28 | 风险等级： | 5.92 |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.5 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 301989888 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 18 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 16777216 words |
| 字数代码： | 16000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 组织： | 16MX18 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 认证状态： | Not Qualified | 自我刷新： | YES |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.375 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K4C89183AF-TCF5 | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX18, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-66 |
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| K4C89183AF-TCFB | SAMSUNG |
获取价格 |
DDR DRAM, 16MX18, 0.5ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, TSOP2-66 |
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| K4C89323AF-GCF5 | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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| K4C89323AF-GCF6 | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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| K4C89323AF-GCFB | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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| K4C89323AF-TCF5 | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
|
| K4C89323AF-TCF6 | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
|
| K4C89323AF-TCFB | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
|
| K4C89363AF | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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| K4C89363AF-GCF5 | SAMSUNG |
获取价格 |
2,097,152-WORDS x 4 BANKS x 36-BITS DOUBLE DATA RATE Network-DRAM |
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