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K4C89363AF-GCF50

更新时间: 2024-11-02 14:51:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
61页 1666K
描述
DDR DRAM, 8MX36, 0.6ns, CMOS, PBGA144, 1 MM PITCH, FBGA-144

K4C89363AF-GCF50 技术参数

是否无铅:含铅是否Rohs认证:不符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:144
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.92
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.6 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B144JESD-609代码:e0
长度:15.5 mm内存密度:301989888 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:36
功能数量:1端口数量:1
端子数量:144字数:8388608 words
字数代码:8000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:8MX36封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.625 V
最小供电电压 (Vsup):2.375 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.5 mmBase Number Matches:1

K4C89363AF-GCF50 数据手册

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K4C89363AF  
Preliminary  
288Mb x36 Network-DRAM2 Specification  
Version 0.7  
- 1 -  
REV. 0.7 Jan. 2005  

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