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K3N6C1000E-TC100

更新时间： 2024-11-24 20:35:51

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	47K
描述
MASK ROM, 2MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K3N6C1000E-TC100 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2,
针数：	44	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.45	最长访问时间：	100 ns
备用内存宽度：	8	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
长度：	18.41 mm	内存密度：	33554432 bit
内存集成电路类型：	MASK ROM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	2097152 words	字数代码：	2000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	2MX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

K3N6C1000E-TC100 数据手册

K3N6C1000E-TC

CMOS MASK ROM

32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

4,194,304x8(byte mode)

2,097,152x16(word mode)

· Fast access time

100ns(Max.) : CL=50pF

120ns(Max.) : CL=100pF

· Supply voltage : single +5V

· Current consumption

Operating : 50mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

The K3N6C1000E-TC is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 4,194,304 x 8 bit(byte mode) or as

2,097,152 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with a 5V single power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N6C1000E-TC is packaged in a 44-TSOP2.

· Package

-. K3N6C1000E-TC : 44-TSOP2-400

PIN CONFIGURATION

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

A20

MEMORY CELL

MATRIX

(2,097,152x16/

4,194,304x8)

N.C

A18

A20

A19

BUFFERS

AND

DECODER

A17

40 A10

A11

A12

SENSE AMP.

BUFFERS

A13

A14

A15

BUFFERS

AND

DECODER

A16

TSOP2

A-1

BHE

VSS

Q15/A-1

29 Q14

Q0/Q8

Q7/Q15

CONTROL

LOGIC

Q13

BHE

Q2 19

Q10 20

Q12

Q11

VCC

Pin Name

A0 - A20

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

K3N6C1000E-TC

Q0 - Q14

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q15 /A-1

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Output Enable

Power (+5V)

Ground

VCC

VSS

N.C

No Connection

12 3

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