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K3N6C1500C-TE15

更新时间： 2024-02-27 08:11:29

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
4页	72K
描述
MASK ROM, 4MX8, 150ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44

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K3N6C1500C-TE15 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	SOP,	针数：	44
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.71	风险等级：	5.61
最长访问时间：	150 ns	其他特性：	ALSO CONFIGURABLE AS 2M X 16
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e0
内存密度：	33554432 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-20 °C
组织：	4MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	认证状态：	Not Qualified
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

K3N6C1500C-TE15 数据手册

K3N6C1000C-TC(E)

CMOS MASK ROM

32M-Bit (4Mx8 /2Mx16) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· Switchable organization

4,194,304x8(byte mode)

2,097,152x16(word mode)

· Fast access time : 100ns(Max.)

· Supply voltage : single +5V

· Current consumption

Operating : 50mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

The K3N6C1000C-TC(E) is a fully static mask programmable

ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,

and is organized either as 4,194,304 x 8 bit(byte mode) or as

2,097,152 x 16 bit(word mode) depending on BHE voltage

level.(See mode selection table)

This device operates with a 5V single power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

· Package

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

-. K3N6C1000C-TC(E) : 44-TSOP2-400

The K3N6C1000C-TC(E) is packaged in a 44-TSOP2.

PRODUCT INFORMATION

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

Operating

Temp Range

Vcc Range

(Typical)

Speed

(ns)

Product

A20

MEMORY CELL

MATRIX

(2,097,152x16/

4,194,304x8)

BUFFERS

AND

DECODER

K3N6C1000C-TC

K3N6C1000C-TE

0°C~70°C

100

-20°C~85°C

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

PIN CONFIGURATION

DECODER

A-1

N.C

A18

A17

A20

A19

Q0/Q8

Q7/Q15

40 A10

A11

CONTROL

LOGIC

38 A12

37 A13

BHE

A14

A15

A16

TSOP2

Pin Name

A0 - A20

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

CE 12

BHE

VSS

32 VSS

Q15/A-1

Q0 - Q14

Output 15(Word mode)/

LSB Address(Byte mode)

Q14

Q15 /A-1

Q13

BHE

Word/Byte selection

Chip Enable

Q10 20

Q12

Output Enable

Power (+5V)

Ground

Q11

VCC

VSS

N.C

K3N6C1000C-TC(E)

No Connection

12 3 4

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