Datasheet > K3N4C3000D-GC15

K3N4C3000D-GC15

更新时间： 2024-11-18 21:07:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	44K
描述
MASK ROM, 1MX8, 150ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

K3N4C3000D-GC15 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SOIC	包装说明：	SOP, SOP32,.56
针数：	32	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.28	最长访问时间：	150 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE I/O	JESD-30 代码：	R-PDSO-G32
JESD-609代码：	e0	长度：	20.47 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	SOP	封装等效代码：	SOP32,.56
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	5 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3 mm	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	MASK ROMs	最大压摆率：	0.05 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	11.43 mm
Base Number Matches：	1

K3N4C3000D-GC15 数据手册

K3N4C3000D-D(G)C

CMOS MASK ROM

8M-Bit (1Mx8) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· 1,048,576 x 8 bit organization

· Fast access time : 100ns(Max.)

· Supply voltage : single +5V

· Current consumption

Operating : 50mA(Max.)

Standby : 50mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N4C3000D-D(G)C is a fully static mask programmable

ROM organized 1,048,576 x 8 bit. It is fabricated using silicon

gate CMOS process technology.

This device operates with a 5V single power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

· Package

The K3N4C3000D-DC is packaged in a 32-DIP and the

K3N4C3D-GC in a 32-SOP.

-. K3N4C3000D-DC : 32-DIP-600

-. K3N4C3000D-GC : 32-SOP-525

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A19

A16

A15

A12

VCC

A18

A17

A14

A13

A19

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

(1,048,576x8)

DECODER

DIP

SOP

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

A11

DECODER

A10

. . .

VSS

CONTROL

LOGIC

K3N4C3000D-D(G)C

Pin Name

A0 - A19

Q0 - Q7

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Power (+5V)

Ground

VCC

VSS

12 3

中文翻译

下载PDF

与K3N4C3000D-GC15相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K3N4U1000D-DC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N4U1000D-DC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N4U1000D-GC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N4U1000D-TC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N4U1000D-TC120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N4U1000D-TE12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N4U1000D-TE120	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44
K3N4U1000E-DC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N4U1000E-GC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44
K3N4U1000E-TC12	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

与K3N4C3000D-GC15相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

37

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N4C3000D-GC15

K3N4C3000D-GC15 技术参数

K3N4C3000D-GC15 数据手册

与K3N4C3000D-GC15相关器件

与K3N4C3000D-GC15相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

K3N4C3000D-GC15

K3N4C3000D-GC15 技术参数

K3N4C3000D-GC15 数据手册

与K3N4C3000D-GC15相关器件

与K3N4C3000D-GC15相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？