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Datasheet > K3N4V1000E-TC10
K3N4V1000E-TC10 PDF预览

K3N4V1000E-TC10

更新时间： 2024-02-17 02:02:22
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K3N4V1000E-TC10 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：44Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.45最长访问时间：100 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDSO-G44
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：8388608 bit内存集成电路类型：MASK ROM
内存宽度：16功能数量：1
端子数量：44字数：524288 words
字数代码：512000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：70 °C最低工作温度：
组织：512KX16封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP44,.46,32
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00003 A
子类别：MASK ROMs最大压摆率：0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：3 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：GULL WING
端子节距：0.8 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：10.16 mm
Base Number Matches：1

K3N4V1000E-TC10 数据手册

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K3N4V(U)1000E-TC  
CMOS MASK ROM  
8M-Bit (1Mx8/ 512Kx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
· Switchable organization  
1,048,576 x 8(byte mode)  
524,288 x 16(word mode)  
GENERAL DESCRIPTION  
The K3N4V(U)1000E-TC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 1,048,576 x 8(byte mode) or as  
· Fast access time  
524,288  
x
16(word mode) depending on BHE voltage  
3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,  
120ns(Max.)@CL=100pF  
level.(See mode selection table)  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF  
· Supply voltage : single +3.0V/single +3.3V  
· Current consumption  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 30mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
The K3N4V(U)1000E-TC is packaged in a 44-TSOP2.  
· Package  
-. K3N4V(U)1000E-TC : 44-TSOP2-400  
PIN CONFIGURATION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A18  
N.C  
N.C  
N.C  
X
1
2
44  
43  
MEMORY CELL  
MATRIX  
A18  
BUFFERS  
AND  
.
.
.
.
.
.
.
.
A17  
A7  
3
42 A8  
41 A9  
40 A10  
39 A11  
38 A12  
37 A13  
(524,288x16/  
1,048,576x8)  
4
DECODER  
A6  
A5  
5
6
A4  
A3  
7
Y
8
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
A14  
A15  
A2  
A1  
9
36  
35  
DATA OUT  
BUFFERS  
10  
A0  
DECODER  
A0 11  
CE 12  
34 A16  
TSOP2  
33 BHE  
A-1  
VSS  
VSS  
13  
32  
31  
30  
.
.
.
OE 14  
Q15/A-1  
Q7  
Q0  
15  
Q8 16  
Q1 17  
CE  
OE  
29 Q14  
28 Q6  
27 Q13  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q9  
18  
Q5  
Q2 19  
26  
25  
24  
BHE  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Q3  
21  
22  
Q11  
Pin Name  
A0 - A18  
Pin Function  
Address Inputs  
23 VCC  
Q0 - Q14  
Data Outputs  
K3N4V(U)1000E-TC  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
N.C  
Ground  
No Connection  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N4V3000D-DC10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
K3N4V3000D-GC10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
K3N5C1000D-DC10 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
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