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K3N4V3000D-DC10

更新时间： 2024-11-18 15:35:59

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		有原始数据的样本ROM 光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
3页	45K
描述
MASK ROM, 1MX8, 100ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32

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K3N4V3000D-DC10 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	DIP	包装说明：	DIP, DIP32,.6
针数：	32	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.71
风险等级：	5.92	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	TTL COMPATIBLE I/O	JESD-30 代码：	R-PDIP-T32
JESD-609代码：	e0	长度：	41.91 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	MASK ROM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端子数量：	32	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX8	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	DIP	封装等效代码：	DIP32,.6
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	5.08 mm	最大待机电流：	0.00003 A
子类别：	MASK ROMs	最大压摆率：	0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	NO
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子节距：	2.54 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	15.24 mm
Base Number Matches：	1

K3N4V3000D-DC10 数据手册

K3N4V(U)3000D-D(G)C

CMOS MASK ROM

8M-Bit (1Mx8) CMOS MASK ROM

FEATURES

GENERAL DESCRIPTION

· 1,048,576 x 8 bit organization

· Fast access time

3.3V Operation : 100ns(Max.)

3.0V Operation : 120ns(Max.)

· Supply voltage :single +3.0V/ single +3.3V

· Current consumption

Operating : 30mA(Max.)

Standby : 30mA(Max.)

· Fully static operation

· All inputs and outputs TTL compatible

· Three state outputs

The K3N4V(U)3000D-D(G)C is a fully static mask programma-

ble ROM organized 1,048,576 x 8 bit. It is fabricated using sili-

con gate CMOS process technology.

This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all

inputs and outputs are TTL compatible.

Because of its asynchronous operation, it requires no external

clock assuring extremely easy operation.

It is suitable for use in program memory of microprocessor, and

data memory, character generator.

The K3N4V(U)3000D-DC is packaged in a 32-DIP and the

K3N4V(U)3000D-GC in a 32-SOP.

· Package

-. K3N4V(U)3000D-DC : 32-DIP-600

-. K3N4V(U)3000D-GC : 32-SOP-525

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

PIN CONFIGURATION

A19

MEMORY CELL

MATRIX

BUFFERS

AND

A19

A16

A15

A12

VCC

(1,048,576x8)

DECODER

31 A18

A17

A14

A13

SENSE AMP.

BUFFERS

AND

DECODER

DIP

A11

SOP

. .

23 A10

CONTROL

LOGIC

VSS

19 Q5

Pin Name

A0 - A19

Q0 - Q7

Pin Function

Address Inputs

Data Outputs

Chip Enable

Output Enable

Power

K3N4V(U)3000D-D(G)C

VCC

VSS

Ground

12 3

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K3N5C1000D-DC15	SAMSUNG	获取价格	MASK ROM, 1MX16, 150ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
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