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K3N5U1000D-DC100 PDF预览

K3N5U1000D-DC100

更新时间： 2024-01-20 17:44:22
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 98K
描述
MASK ROM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42

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K3N5U1000D-DC100 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：DIP包装说明：DIP,
针数：42Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.71
风险等级：5.29最长访问时间：100 ns
备用内存宽度：8JESD-30 代码：R-PDIP-T42
长度：52.42 mm内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：DIP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
认证状态：Not Qualified座面最大高度：5.08 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.3 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3 V表面贴装：NO
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：THROUGH-HOLE端子节距：2.54 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：15.24 mmBase Number Matches：1

K3N5U1000D-DC100 数据手册

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K3N5V(U)1000D-D(G)C  
CMOS MASK ROM  
16M-Bit (2Mx8 /1Mx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
· Switchable organization  
The K3N5V(U)1000D-D(G)C is a fully static mask programma-  
ble ROM fabricated using silicon gate CMOS process technol-  
ogy, and is organized either as 2,097,152 x 8 bit(byte mode) or  
as 1,048,576x16 bit(word mode) depending on BHE voltage  
level.(See mode selection table)  
2,097,152 x 8(byte mode)  
1,048,576 x 16(word mode)  
· Fast access time : 100ns(Max.)  
· Supply voltage : single +3.0V/ single +3.3V  
· Current consumption  
Operating : 40mA(Max.)  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
· Package  
-. K3N5V(U)1000D-DC : 42-DIP-600  
-. K3N5V(U)1000D-GC : 44-SOP-600  
The K3N5V(U)1000D-DC is packaged in a 42-DIP and the  
K3N5V(U)1000D-GC in a 44-SOP.  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
PIN CONFIGURATION  
A19  
X
MEMORY CELL  
MATRIX  
(1,048,576x16/  
2,097,152x8)  
1
2
A18  
42  
41  
A19  
A8  
N.C  
A18  
A17  
A7  
N.C  
A19  
A8  
1
2
44  
43  
42  
41  
40  
39  
38  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
.
.
.
.
.
.
.
.
A17  
A7  
3
40 A9  
3
4
39 A10  
A6  
A5  
4
A9  
5
38  
A11  
A6  
A10  
A11  
A12  
5
6
37  
A4  
A12  
A5  
6
7
36  
A3  
A13  
A4  
7
Y
SENSE AMP.  
8
35  
A14  
A2  
A3  
8
37 A13  
BUFFERS  
AND  
DECODER  
9
34  
A1  
A15  
A14  
36  
A2  
9
DATA OUT  
BUFFERS  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
33  
32  
A0  
A16  
A1  
A15  
35  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
A0  
CE  
VSS  
OE  
Q0  
Q8  
Q1  
BHE  
VSS  
A0  
A16  
34  
33  
32  
31  
30  
29  
28  
27  
26  
DIP  
SOP  
31  
CE  
BHE  
VSS  
A-1  
30  
Q15/A-1 VSS  
Q7  
29  
.
.
.
OE  
Q15/A-1  
Q7  
28  
Q14  
Q0  
27  
Q6  
Q8  
Q13  
CE  
Q14  
Q6  
Q9 17  
26  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
Q1  
CONTROL  
LOGIC  
18  
Q2  
OE  
25  
Q5  
Q9  
Q12  
Q13  
Q5  
19  
24  
Q10  
Q2 19  
BHE  
20  
21  
Q3  
23 Q4  
22  
Q10 20  
25 Q12  
Q11  
VCC  
Q4  
24  
Q3  
21  
22  
Q11  
VCC  
23  
Pin Name  
A0 - A19  
Pin Function  
Address Inputs  
K3N5V(U)1000D-DC  
Q0 - Q14  
Data Outputs  
K3N5V(U)1000D-GC  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
N.C  
Ground  
No Connection  
1234

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与K3N5U1000D-DC100相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N5U1000D-DC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N5U1000D-DC120 SAMSUNG

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K3N5U1000D-DC15 SAMSUNG

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K3N5U1000D-GC100 SAMSUNG

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