是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP42,.6 |
针数: | 42 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.29 | 最长访问时间: | 100 ns |
其他特性: | ALL INPUTS AND OUTPUTS TTL COMPATIBLE | 备用内存宽度: | 8 |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T42 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 52.42 mm | 内存密度: | 8388608 bit |
内存集成电路类型: | MASK ROM | 内存宽度: | 16 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 42 |
字数: | 524288 words | 字数代码: | 512000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 512KX16 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装等效代码: | DIP42,.6 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.00003 A |
子类别: | MASK ROMs | 最大压摆率: | 0.03 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K3N4V1000D-DC100 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N4V1000D-GC10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N4V1000D-GC100 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N4V1000D-TC10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N4V1000D-TC100 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N4V1000D-TE10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N4V1000D-TE100 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N4V1000E-DC10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N4V1000E-DC12 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N4V1000E-GC10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 |