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Datasheet > K3N4U1000E-TC12
K3N4U1000E-TC12 PDF预览

K3N4U1000E-TC12

更新时间： 2024-09-26 20:49:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 有原始数据的样本ROM光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
3页 29K
描述
MASK ROM, 512KX16, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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K3N4U1000E-TC12 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP2
包装说明：TSOP2, TSOP44,.46,32针数：44
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.71风险等级：5.92
最长访问时间：120 ns备用内存宽度：8
JESD-30 代码：R-PDSO-G44JESD-609代码：e0
长度：18.41 mm内存密度：8388608 bit
内存集成电路类型：MASK ROM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX16
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP2
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.00003 A子类别：MASK ROMs
最大压摆率：0.025 mA最大供电电压 (Vsup)：3.3 V
最小供电电压 (Vsup)：2.7 V标称供电电压 (Vsup)：3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

K3N4U1000E-TC12 数据手册

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K3N4V(U)1000E-TC  
CMOS MASK ROM  
8M-Bit (1Mx8/ 512Kx16) CMOS MASK ROM  
FEATURES  
· Switchable organization  
1,048,576 x 8(byte mode)  
524,288 x 16(word mode)  
GENERAL DESCRIPTION  
The K3N4V(U)1000E-TC is a fully static mask programmable  
ROM fabricated using silicon gate CMOS process technology,  
and is organized either as 1,048,576 x 8(byte mode) or as  
· Fast access time  
524,288  
x
16(word mode) depending on BHE voltage  
3.3V Operation : 100ns(Max.)@CL=50pF,  
120ns(Max.)@CL=100pF  
level.(See mode selection table)  
This device operates with 3.0V or 3.3V power supply, and all  
inputs and outputs are TTL compatible.  
3.0V Operation : 120ns(Max.)@CL=100pF  
· Supply voltage : single +3.0V/single +3.3V  
· Current consumption  
Because of its asynchronous operation, it requires no external  
clock assuring extremely easy operation.  
Operating : 30mA(Max.)  
It is suitable for use in program memory of microprocessor, and  
data memory, character generator.  
Standby : 30mA(Max.)  
· Fully static operation  
· All inputs and outputs TTL compatible  
· Three state outputs  
The K3N4V(U)1000E-TC is packaged in a 44-TSOP2.  
· Package  
-. K3N4V(U)1000E-TC : 44-TSOP2-400  
PIN CONFIGURATION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A18  
N.C  
N.C  
N.C  
X
1
2
44  
43  
MEMORY CELL  
MATRIX  
A18  
BUFFERS  
AND  
.
.
.
.
.
.
.
.
A17  
A7  
3
42 A8  
41 A9  
40 A10  
39 A11  
38 A12  
37 A13  
(524,288x16/  
1,048,576x8)  
4
DECODER  
A6  
A5  
5
6
A4  
A3  
7
Y
8
SENSE AMP.  
BUFFERS  
AND  
A14  
A15  
A2  
A1  
9
36  
35  
DATA OUT  
BUFFERS  
10  
A0  
DECODER  
A0 11  
CE 12  
34 A16  
TSOP2  
33 BHE  
A-1  
VSS  
VSS  
13  
32  
31  
30  
.
.
.
OE 14  
Q15/A-1  
Q7  
Q0  
15  
Q8 16  
Q1 17  
CE  
OE  
29 Q14  
28 Q6  
27 Q13  
Q0/Q8  
Q7/Q15  
CONTROL  
LOGIC  
Q9  
18  
Q5  
Q2 19  
26  
25  
24  
BHE  
Q10 20  
Q12  
Q4  
Q3  
21  
22  
Q11  
Pin Name  
A0 - A18  
Pin Function  
Address Inputs  
23 VCC  
Q0 - Q14  
Data Outputs  
K3N4V(U)1000E-TC  
Output 15(Word mode)/  
LSB Address(Byte mode)  
Q15 /A-1  
BHE  
CE  
Word/Byte selection  
Chip Enable  
Output Enable  
Power  
OE  
VCC  
VSS  
N.C  
Ground  
No Connection  
123

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与K3N4U1000E-TC12相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K3N4U3000D-DC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, DIP-32
K3N4U3000D-GC12 SAMSUNG

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 		MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
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 		MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42
K3N4V1000D-DC100 SAMSUNG

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