是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | DIP | 包装说明: | DIP, DIP32,.6 |
针数: | 32 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.71 |
风险等级: | 5.92 | 最长访问时间: | 120 ns |
其他特性: | TTL COMPATIBLE I/O | JESD-30 代码: | R-PDIP-T32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 41.91 mm |
内存密度: | 8388608 bit | 内存集成电路类型: | MASK ROM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 1048576 words |
字数代码: | 1000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 1MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | DIP | 封装等效代码: | DIP32,.6 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 3 V | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 5.08 mm | 最大待机电流: | 0.00003 A |
子类别: | MASK ROMs | 最大压摆率: | 0.025 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15.24 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K3N4U3000D-GC12 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 1MX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32 | |
K3N4V1000D-DC10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N4V1000D-DC100 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 | |
K3N4V1000D-GC10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N4V1000D-GC100 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.600 INCH, SOP-44 | |
K3N4V1000D-TC10 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N4V1000D-TC100 | SAMSUNG |
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MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N4V1000D-TE10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N4V1000D-TE100 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | |
K3N4V1000E-DC10 | SAMSUNG |
获取价格 |
MASK ROM, 512KX16, 100ns, CMOS, PDIP42, 0.600 INCH, DIP-42 |