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JANTX2N5672 PDF预览

JANTX2N5672

更新时间： 2024-11-27 22:57:27
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管局域网高功率电源
页数 文件大小 规格书
2页 58K
描述
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N5672 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Active零件包装代码：TO-3
包装说明：TO-3, 2 PIN针数：2
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.75风险等级：5.21
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：30 A
集电极-发射极最大电压：120 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：20JEDEC-95代码：TO-204AA
JESD-30 代码：O-MBFM-P2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
认证状态：Qualified参考标准：MIL-19500/488C
表面贴装：NO端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：PIN/PEG端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：50 MHzBase Number Matches：1

JANTX2N5672 数据手册

 浏览型号JANTX2N5672的Datasheet PDF文件第2页 
TECHNICAL DATA  
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/ 488  
Devices  
Qualified Level  
JAN  
2N5671  
2N5672  
JANTX  
JANTXV  
MAXIMUM RATINGS  
Ratings  
Symbol 2N5671 2N5672 Unit  
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Base Current  
90  
120  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
Adc  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IB  
120  
150  
7.0  
10  
30  
Collector Current  
IC  
Total Power Dissipation  
@ TA = +250C (1)  
@ TC = +250C (2)  
6.0  
140  
W
W
0C  
PT  
Operating & Storage Temperature Range  
-65 to +200  
Top, T  
stg  
TO-3*  
(TO-204AA)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristics  
Symbol  
Max.  
Unit  
0C/W  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
1.25  
R
qJC  
1) Derate linearly 34.2 mW/0C for TA > +250C  
2) Derate linearly 800 mW/0C for TC > +250C  
*See appendix A for  
package outline  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 250C unless otherwise noted)  
Characteristics  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc  
Symbol  
Min.  
Max.  
Unit  
Vdc  
Vdc  
90  
120  
2N5671  
2N5672  
V(BR)  
CEO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc  
110  
140  
2N5671  
2N5672  
V(BR)  
CER  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 200 mAdc  
120  
150  
Vdc  
2N5671  
2N5672  
V(BR)  
CEX  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 80 Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Current  
VCE = 110 Vdc, VBE = 1.5 Vdc  
VCE = 135 Vdc, VBE = 1.5 Vdc  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
10  
mAdc  
mAdc  
ICEO  
12  
10  
2N5671  
2N5672  
ICEX  
120101  
Page 1 of 2  
1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803  
12

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JANTX2N5672 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
JANTXV2N5672 MICROSEMI

完全替代

 NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR

与JANTX2N5672相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N5679 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 120V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
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 		TRANSISTOR | BJT | NPN | 100V V(BR)CEO | 1A I(C) | TO-5
JANTX2N5682 MICROSEMI

获取价格

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 80V V(BR)CEO | 20A I(C) | TO-3
JANTX2N5793 MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 40V V(BR)CEO, 2-Element, NPN, Silicon, TO-78,

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