5秒后页面跳转
JANTX2N3507AU4 PDF预览

JANTX2N3507AU4

更新时间: 2024-11-30 15:35:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
6页 207K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, CERAMIC, U4 3 PIN

JANTX2N3507AU4 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:CHIP CARRIER, R-CBCC-N3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.37
其他特性:HIGH RELIABILITY外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:50 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):20
JESD-30 代码:R-CBCC-N3JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:200 °C封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:CHIP CARRIER
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):5 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:NO LEAD
端子位置:BOTTOM晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON最大关闭时间(toff):90 ns
最大开启时间(吨):45 nsBase Number Matches:1

JANTX2N3507AU4 数据手册

 浏览型号JANTX2N3507AU4的Datasheet PDF文件第2页浏览型号JANTX2N3507AU4的Datasheet PDF文件第3页浏览型号JANTX2N3507AU4的Datasheet PDF文件第4页浏览型号JANTX2N3507AU4的Datasheet PDF文件第5页浏览型号JANTX2N3507AU4的Datasheet PDF文件第6页 

与JANTX2N3507AU4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N3507L ETC

获取价格

TRANSISTOR | BJT | NPN | 50V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-5
JANTX2N3584 MICROSEMI

获取价格

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3585 MICROSEMI

获取价格

NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3634 ONSEMI

获取价格

MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita
JANTX2N3634 MICROSEMI

获取价格

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JANTX2N3634L MICROSEMI

获取价格

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JANTX2N3634L ONSEMI

获取价格

MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-5 3-Lead, 100-BLKBX, Militar
JANTX2N3634UB MICROSEMI

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JANTX2N3635 MICROSEMI

获取价格

PNP SILICON AMPLIFIER TRANSISTOR
JANTX2N3635 ONSEMI

获取价格

MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Milita