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JANTX2N3634

更新时间： 2024-11-30 20:31:15
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 95K
描述
MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-39 3-Lead, 100-BLKBX, Military Qualified

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JANTX2N3634 技术参数

是否无铅：含铅生命周期：Obsolete
零件包装代码：BCY包装说明：CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.09Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：1 A集电极-发射极最大电压：140 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：30
JEDEC-95代码：TO-205ADJESD-30 代码：O-MBCY-W3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：METAL
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：1 W
认证状态：Not Qualified参考标准：MIL-19500/357
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子形式：WIRE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：150 MHzBase Number Matches：1

JANTX2N3634 数据手册

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2N3634, 2N3634L, 2N3635,  
2N3635L, 2N3636,  
2N3636L, 2N3637, 2N3637L  
Low Power Transistors  
PNP Silicon  
http://onsemi.com  
COLLECTOR  
3
Features  
• MIL−PRF−19500/357 Qualified  
• Available as JAN, JANTX, JANTXV and JANHC  
2
BASE  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
1
EMITTER  
Characteristic  
Symbol 2N3634/L  
2N3635/L  
2N3636/L  
2N3637/L  
Unit  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
V
V
−140  
−140  
−175  
−175  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
Adc  
CEO  
CBO  
V
−5.0  
EBO  
Collector Current  
− Continuous  
I
C
1.0  
1.0  
5.0  
Total Device Dissipation  
P
P
W
W
°C  
T
T
@ T = 25°C  
A
Total Device Dissipation  
@ T = 25°C  
C
TO−5  
CASE 205AA  
STYLE 1  
2N3634L  
2N3635L  
2N3636L  
2N3637L  
Operating and Storage Junc-  
tion Temperature Range  
T , T  
J
−65 to +200  
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
175  
35  
Unit  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
q
JA  
°C/W  
°C/W  
R
q
JC  
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
ORDERING INFORMATION  
Level  
Device  
2N3634  
Package  
Shipping  
TO−39  
CASE 205AB  
STYLE 1  
2N3634  
2N3635  
2N3636  
2N3637  
2N3634L  
2N3635L  
2N3636L  
2N3637L  
TO−39  
Bulk  
2N3635  
2N3636  
2N3637  
JAN  
JANTX  
JANTXV  
JANHC  
TO−5  
Bulk  
©
Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
2N3637/D  
January, 2013 − Rev. 0  
1234

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JANTX2N3634 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N3634L MICROSEMI

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JANTX2N3634L MICROSEMI

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JANTX2N3634L ONSEMI

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 		MIL-PRF-19500/357: 140 V, 1 A PNP Small Signal Transistor, TO-5 3-Lead, 100-BLKBX, Militar
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 140V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
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