JANTX2N3019

更新时间： 2024-10-04 22:57:27

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美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管放大器
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2页	65K
描述
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N3019 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	2
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.19
Is Samacsys：	N	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	1 A	集电极-发射极最大电压：	80 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	15
JEDEC-95代码：	TO-5	JESD-30 代码：	O-MBCY-W3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	200 °C
封装主体材料：	METAL	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	NPN	最大功率耗散 (Abs)：	0.8 W
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/391
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	WIRE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

JANTX2N3019 数据手册

TECHNICAL DATA

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 391

Devices

2N3019

Qualified Level

JAN

2N3057A

2N3700

2N3019S

2N3700S

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Units

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

140

7.0

Vdc

TO-39* (TO-205AD)

2N3019, 2N3019S

Vdc

1.0

Adc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

2N3019; 2N3019S

2N3057A

2N3700

0.8

0.4

0.5

0.4

TO- 18* (TO-206AA)

2N3700

2N3700UB

P_T

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

2N3019; 2N3019S

2N3057A

5.0

1.8

2N3700

2N3700UB

Operating & Storage Jct Temp Range

1.8

1.16

-55 to +175

TO-46* (TO-206AB)

2N3057A

⁰C

T_J_,T

stg

1) Derate linearly 4.6 mW/⁰C for type 2N3019 and 2N3019S; 2.3 mW/⁰C for type 2N3057A;

2.85 mW/⁰C for type 2N3700; 6.6 mW/⁰C for type 2N3700UB for T_A³ +25⁰C.

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for type 2N3019 and 2N3019S;

3 PIN SURFACE MOUNT*

2N3700UB

10.3 mW/⁰C for types 2N3057A, 2N3700, & 2N3700UB for T_C³ +25⁰C.

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 30 mAdc

140

7.0

Vdc

V_(BR)

CBO

V_(BR)

EBO

V_(BR)

CEO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
JANTXV2N3019S	MICROSEMI	完全替代	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JANTXV2N3019	MICROSEMI	完全替代	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JANS2N3019	MICROSEMI	完全替代	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

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JANTX2N3029	MICROSEMI	获取价格	SCRs 0.5 Amp, Planear
JANTX2N3030	MICROSEMI	获取价格	SCRs 0.5 Amp, Planear
JANTX2N3031	MICROSEMI	获取价格	SCRs 0.5 Amp, Planear
JANTX2N3032	MICROSEMI	获取价格	SCRs 0.5 Amp, Planear
JANTX2N3055	MICROSEMI	获取价格	NPN POWER SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3057A	MICROSEMI	获取价格	LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR
JANTX2N3057A	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46,

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