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JANTX2N3418

更新时间: 2024-11-06 20:18:43
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 261K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, SMILILAR TO TO-5, 3 PIN

JANTX2N3418 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Active包装说明:CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.29.00.95风险等级:5.14
Is Samacsys:N外壳连接:COLLECTOR
最大集电极电流 (IC):3 A集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):10
JEDEC-95代码:TO-5JESD-30 代码:O-MBCY-W3
JESD-609代码:e0元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:200 °C
封装主体材料:METAL封装形状:ROUND
封装形式:CYLINDRICAL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):1 W
认证状态:Qualified参考标准:MIL-19500/393E
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):40 MHz最大关闭时间(toff):1300 ns
最大开启时间(吨):300 nsBase Number Matches:1

JANTX2N3418 数据手册

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JANTX2N3418 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
2N3418S MICROSEMI

完全替代

Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-205AD,

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JANTX2N3418S ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C)
JANTX2N3418U4 MICROSEMI

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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC
JANTX2N3419 VISHAY

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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 P
JANTX2N3419 APITECH

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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5
JANTX2N3419S ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 80V V(BR)CEO | 3A I(C) | TO-39
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JANTX2N3420 VISHAY

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Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 P
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Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5
JANTX2N3420 MICROSEMI

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Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, SMI
JANTX2N3420S ETC

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TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | TO-5