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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOT |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.17 | Is Samacsys： | N |
| 集电极-发射极最大电压： | 20 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 | JESD-30 代码： | R-CDSO-N3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.4 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 参考标准： | MIL-19500/317 |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JANTX2N3250A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| JANTX2N3250AUB | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
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| JANTX2N3251A | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
|
| JANTX2N3251A | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
|
| JANTX2N3375 | MOTOROLA |
获取价格 |
RF Power Bipolar Transistor, 1-Element, Silicon, NPN, TO-60, TO-60, 3 PIN |
|
| JANTX2N3418 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 3A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, SMI |
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| JANTX2N3418S | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 3A I(C) |
|
| JANTX2N3418U4 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC |
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| JANTX2N3419 | VISHAY |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 3A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, Metal, 3 P |
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| JANTX2N3419 | APITECH |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5 |
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