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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-39 |
| 包装说明： | CYLINDRICAL, O-MBCY-W3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.38 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 700 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 30 |
| JEDEC-95代码： | TO-39 | JESD-30 代码： | O-MBCY-W3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | CYLINDRICAL |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 参考标准： | MIL-19500/727 | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | BOTTOM |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N5013 | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
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| JAN2N5013S | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 800V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| JAN2N5014 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-5, |
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| JAN2N5014S | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 900V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| JAN2N5015 | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1000V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39 |
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| JAN2N5015S | MICROSEMI |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 1000V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39 |
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| JAN2N5038 | MICROSEMI |
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NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5039 | MICROSEMI |
获取价格 |
NPN HIGH POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N5109 | RAYTHEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-39, |
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| JAN2N5109UB | ETC |
获取价格 |
BJT |
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