JAN2N3057A

更新时间： 2024-11-01 22:35:59

品牌	Logo	应用领域
美高森美 - MICROSEMI		晶体小信号双极晶体管开关
页数	文件大小	规格书
2页	65K
描述
LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

JAN2N3057A 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BCY
包装说明：	CYLINDRICAL, O-MBCY-W3	针数：	3
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.27
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	1 A
集电极-发射极最大电压：	80 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-46
JESD-30 代码：	O-MBCY-W3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	METAL
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Qualified	参考标准：	MIL-19500/391H
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	WIRE	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

JAN2N3057A 数据手册

TECHNICAL DATA

LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR

Qualified per MIL-PRF-19500/ 391

Devices

2N3019

Qualified Level

JAN

2N3057A

2N3700

2N3019S

2N3700S

JANTX

JANTXV

JANS

MAXIMUM RATINGS

Ratings

Collector-Emitter Voltage

Collector-Base Voltage

Emitter-Base Voltage

Collector Current

Symbol

Value

Units

Vdc

V_CEO

V_CBO

V_EBO

I_C

140

7.0

Vdc

TO-39* (TO-205AD)

2N3019, 2N3019S

Vdc

1.0

Adc

Total Power Dissipation

@ T_A= +25⁰C⁽¹⁾

2N3019; 2N3019S

2N3057A

2N3700

0.8

0.4

0.5

0.4

TO- 18* (TO-206AA)

2N3700

2N3700UB

P_T

@ T_C= +25⁰C⁽²⁾

2N3019; 2N3019S

2N3057A

5.0

1.8

2N3700

2N3700UB

Operating & Storage Jct Temp Range

1.8

1.16

-55 to +175

TO-46* (TO-206AB)

2N3057A

⁰C

T_J_,T

stg

1) Derate linearly 4.6 mW/⁰C for type 2N3019 and 2N3019S; 2.3 mW/⁰C for type 2N3057A;

2.85 mW/⁰C for type 2N3700; 6.6 mW/⁰C for type 2N3700UB for T_A³ +25⁰C.

2) Derate linearly 28.6 mW/⁰C for type 2N3019 and 2N3019S;

3 PIN SURFACE MOUNT*

2N3700UB

10.3 mW/⁰C for types 2N3057A, 2N3700, & 2N3700UB for T_C³ +25⁰C.

*See appendix A for package

outline

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A= 25⁰C unless otherwise noted)

Characteristics

Symbol

Min.

Max.

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector-Base Breakdown Voltage

I_C= 100 mAdc

Emitter-Base Breakdown Voltage

I_E= 100 mAdc

Collector-Emitter Breakdown Current

I_C= 30 mAdc

140

7.0

Vdc

V_(BR)

CBO

V_(BR)

EBO

V_(BR)

CEO

6 Lake Street, Lawrence, MA 01841

1-800-446-1158 / (978) 794-1666 / Fax: (978) 689-0803

120101

Page 1 of 2

中文翻译

下载PDF

与JAN2N3057A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
JAN2N3095	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A
JAN2N3097	INFINEON	获取价格	Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A
JAN2N3227	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 20V V(BR)CEO \| 200MA I(C) \| TO-18
JAN2N3227UB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, C
JAN2N3250A	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A
JAN2N3250AUB	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC
JAN2N3251A	RAYTHEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,
JAN2N3251A	MICROSEMI	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A
JAN2N326	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 35V V(BR)CEO \| 2A I(C) \| TO-3VAR
JAN2N333	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| NPN \| 25MA I(C) \| TO-5

与JAN2N3057A相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

6
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

3
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

23
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

24

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N3057A

JAN2N3057A 技术参数

JAN2N3057A 数据手册

与JAN2N3057A相关器件

与JAN2N3057A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

JAN2N3057A

JAN2N3057A 技术参数

JAN2N3057A 数据手册

与JAN2N3057A相关器件

与JAN2N3057A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？