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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3097 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| JAN2N3227 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| JAN2N3227UB | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, C |
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| JAN2N3250A | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
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| JAN2N3250AUB | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC |
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| JAN2N3251A | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18, |
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| JAN2N3251A | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
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| JAN2N326 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 35V V(BR)CEO | 2A I(C) | TO-3VAR |
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| JAN2N333 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 25MA I(C) | TO-5 |
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| JAN2N333A | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 45V V(BR)CEO | 25MA I(C) | TO-5 |
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