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JAN2N3250AUB PDF预览

JAN2N3250AUB

更新时间： 2024-11-02 14:34:07
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI 晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 129K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, CERAMIC PACKAGE-3

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JAN2N3250AUB 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-CDSO-N3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.32Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.2 A集电极-发射极最大电压：60 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：15
JESD-30 代码：R-CDSO-N3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：200 °C封装主体材料：CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.36 W认证状态：Qualified
参考标准：MIL-19500/323子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：NO LEAD端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
最大关闭时间（toff）：250 ns最大开启时间（吨）：70 ns
Base Number Matches：1

JAN2N3250AUB 数据手册

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TECHNICAL DATA SHEET  
6 Lake Street, Lawrence, MA 01841  
1-800-446-1158 / (978) 620-2600 / Fax: (978) 689-0803  
Website: http://www.microsemi.com  
Gort Road Business Park, Ennis, Co. Clare, Ireland.  
Tel: +353 (0) 65 6840044 Fax: +353 (0) 65 6822298  
PNP SILICON  
LOW POWER TRANSISTOR  
Qualified per MIL-PRF-19500/323  
DEVICES  
LEVELS  
2N3250A  
2N3251A  
JAN  
2N3250AUB  
2N3251AUB  
JANTX  
JANTXV  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TC = +25°C unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
Collector-Emitter Voltage  
Symbol  
VCEO  
VCBO  
VEBO  
IC  
Value  
60  
Unit  
Vdc  
Collector-Base Voltage  
Emitter-Base Voltage  
60  
Vdc  
5.0  
Vdc  
Collector Current  
200  
mAdc  
Total Power Dissipation  
@ TA = +25°C (1)  
@ TC = +25°C (1)  
0.36  
1.2  
PT  
W
Operating & Storage Junction Temperature Range  
TJ, Tstg  
-65 to +200  
°C  
TO-39 (TO-205AD)  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Parameters / Test Conditions  
Symbol  
Max.  
Unit  
(1)  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
150  
°C/W  
RθJC  
Note:  
1/ Consult 19500/323 for thermal curves  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = +25°C, unless otherwise noted)  
Parameters / Test Conditions  
OFF CHARACTERTICS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
IC = 10mAdc  
Symbol  
V(BR)CEO  
ICEX  
Min.  
Max.  
Unit  
60  
Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Voltage  
V
BE = 3.0Vdc, VCE = 40Vdc  
20  
20  
ηAdc  
μAdc  
UB Package  
VBE = 3.0Vdc, VCE = 40Vdc  
TA = 150°C  
Collector-Base Cutoff Current  
10  
20  
μAdc  
ηAdc  
V
CB = 60Vdc  
ICBO  
VCB = 40Vdc  
Emitter-Base Cutoff Current  
IEBO  
10  
50  
μAdc  
ηAdc  
V
EB = 5.0Vdc  
Collector-Emitter Cutoff Voltage  
IBEX  
V
BE = 3.0Vdc, VCE = 40Vdc  
T4-LDS-0093 Rev. 2 (101243)  
Page 1 of 4  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
JAN2N3251A RAYTHEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, PNP, Silicon, TO-18,
JAN2N3251A MICROSEMI

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A
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