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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| JAN2N3031 | MICROSEMI |
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SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3032 | MICROSEMI |
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SCRs 0.5 Amp, Planear |
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| JAN2N3055 | MICROSEMI |
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NPN POWER SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3057A | MICROSEMI |
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LOW POWER NPN SILICON TRANSISTOR |
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| JAN2N3057A | RAYTHEON |
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Small Signal Bipolar Transistor, 1-Element, NPN, Silicon, TO-46, |
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| JAN2N3095 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| JAN2N3097 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 70000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| JAN2N3227 | ETC |
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TRANSISTOR | BJT | NPN | 20V V(BR)CEO | 200MA I(C) | TO-18 |
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| JAN2N3227UB | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HERMETIC SEALED, C |
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| JAN2N3250A | MICROSEMI |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-205A |
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